GC-ICP-QQQ による電子グレードのアルシン中の微量不純物の測定
このアプリケーションノートでは、GC-ICP-MS でマルチチューン「時間プログラム」取り込みメソッドを使用して、1 回の注入で、アルシン中の重要な水素化物ガス不純物をできる限り多く測定した結果を紹介しています。このアプローチなら、すべての不純物をカバーするために、複数の検出器、カラム、メソッド、機器を使用する必要がありません。
エレクトロニクスおよび半導体の製造では、酸化、成膜、エッチング、スパッタリング、ドーピング、不活性化など多様なプロセスで 30 種類ものバルクガスや特殊ガスが必要になります。エレクトロニクスの製造の精密性を確保するためには、これらのガスが高純度でなければなりません。ごく微量の不純物が存在するだけでも、製品の品質や歩留まりに壊滅的な影響をおよぼすおそれがあるからです。従来、このような汚染物質は ppb レベルで測定すれば十分でしたが、業界内での競争の激化と、性能基準の高レベル化を背景に、これまで以上に低い検出仕様が求められるようになっています。また、高純度ガスのメーカーから、ガス中の微量不純物の分析時に、報告値の 1/5～1/10 の検出下限を要求されることも珍しくありません。
このアプリケーションノートでは、GC-ICP-MS でマルチチューン「時間プログラム」取り込みメソッドを使用して、1 回の注入で、アルシン中の重要な水素化物ガス不純物をできる限り多く測定した結果を紹介しています。このアプローチなら、すべての不純物をカバーするために、複数の検出器、カラム、メソッド、機器を使用する必要がありません。
半導体業界では、シリコンウエハのエッチング速度を調節したり、選択性を高めてプロセスをより厳密に制御するために、一酸化炭素（CO）ガスが使用されています。ただし、CO は、さまざまな金属と接触して金属カルボニルを形成する可能性があります。エッチングプロセスでウエハ表面にカルボニル残基が形成されると、それが電子デバイスの故障原因になります。このアプリケーションノートでは、GC と ICP-MS（ICP-QQQ）を組み合わせた新しいアプローチについて取り上げています。このアプローチは、複数のカルボニルを分析できる効率的な代替手段になります。
水素化物ガスは、半導体業界で使用されるプロセス薬品中の汚染物質であり、同定することが重要になります。ガス汚染物質の存在は、ポリプロピレンプラスチックの製造に使用される触媒に悪影響をおよぼす可能性があります。微量濃度で存在するこれらの汚染物質の正確な濃度データがあれば、触媒の寿命を予測し、製造のダウンタイムを最小限に抑えることができます。このアプリケーションノートで取り上げるメソッドでは、高純度ガスに含まれる幅広い汚染物質を低い検出レベルで測定することができます。
このウェビナーでは、GC 検出器として ICP-MS を使用する方法について取り上げ、GC へのサンプルの導入方法や 2 つの機器の連結方法などを説明します。また、分析困難なサンプルマトリックスに対するアプローチや、同位体のキャリブレーションおよび測定の信頼性が確保されるように ICP-MS をチューニングする方法についても取り上げます。ゲルマニウム、ジボラン、ホスフィン、アルシン、セレン化水素、トリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、2-フルオロブタン、トリフルオロヨードメタン、ヘキサフルオロブタジエン、一酸化炭素の具体的な分析例もご覧いただけます。
無機不純物の測定メソッドが 20 種類以上掲載されています。各メソッドについて、構成、チューニングパラメータ、サンプル前処理の詳細、および代表的な結果をご覧いただけます。
この ICP-QQQ アプリケーションハンドブックでは、Agilent トリプル四重極 ICP-MS の概要と、幅広い業界における活用例をご覧いただけます。
希土類元素をドーピングしたオプトエレクトロニクスの開発など、査読済みジャーナルに掲載された ICP-QQQ 半導体材料アプリケーションをご覧いただけます。
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