レーザーアブレーション、ガス交換デバイス付きのAgilent 8900 ICP-QQQ を用いた自動分析

Pub.No. 5994-6670JAJP

LA-GED-MSAG-ICP-MS/MS による SiCおよび GaN ウエハ中の金属不純物の直接分析

半導体機器は多くの電子機器に使用されており、電気自動車（EV）や通信、データストレージなどの分野でますます不可欠となっています。また、太陽光や風力、潮力などの断続的な再生可能エネルギー源から生成されるエネルギーを管理するエネルギー貯蔵システムを開発するための研究も進められています。効果的なエネルギー貯蔵システムには、交流（AC）を直流（DC）に、または DC を AC に変換する高速で高出力の半導体機器が必要です。

本報では、半導体ウエハ中の不純物分析において、新たに開発された LA-GED-MSAG-ICP-MS システムが、従来の LA-ICP-MS 技術の限界を克服することを示します。

分野	半導体/電子材料、材料試験・研究
キーワード	wafer impurities measurement; semicon metallic impurities measurement; Agilent semicon ICP-MS
掲載年月	2024/11
ページ数	10ページ （PDFファイルサイズ 1.02MB）

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