Pub.No. 5991-1693JAJP
半導体業界において、作業工程における金属の不純物の管理はとても重要です。デバイスの性能は上がり続け、不純物管理は厳重になってきています。例えば、生産工程で用いられる超純水 (UPW) に含まれる金属含有量はサブ ppb レベルでなければなりません。ICP-MS は、半導体化学やデバイス中の微量金属分析に適しています。半導体業界にて最も一般的なのは、四重極 ICP-MS (ICP-QMS) のクールプラズマ法を用いた分析手法です。クールプラズマ法(参考文献 1) とは、1990 年代中頃に開発されたもので、キーとなる元素をシングル pptレベルで測定することを可能にした手法です。ICP-QMS に搭載されているコリジョン・リアクションセルは、2000 年頃から開発され、複雑な半導体マトリクスの直接分析を可能にしましたが、クールプラズマ条件下での検出限界値とバックグラウンド相当濃度 (BEC) の改善は見られませんでした。サブ ppt レベルの測定を実現するためには、より低い BEC の達成が必要です。
分野 | 材料試験・研究 |
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キーワード | 半導体、金属、ppb、デバイス、四重極 ICP-MS、ICP-QMS、クールプラズマ、超純水、カルシウム |
掲載年月 | 2013/02 |
ページ数 | 4ページ (PDFファイルサイズ 635kB) |